Galaxy S9 może pojawić się wcześniej. Nowy procesor Samsunga jest już za rogiem

Nie należy jednak spodziewać się, że układy wykonane w tej technologii trafią do pierwszych urządzeń jeszcze w tym roku. Prawdopodobnie pierwszym sprzętem z 8-nanometrowym procesorem będzie przyszłoroczny Samsung Galaxy S9.

Możliwe jednak jest też, że nowe układy pojawią się dopiero w urządzeniach wydanych jesienią przyszłego roku. Obie opcje są możliwe, ponieważ masowa produkcja układów przy użyciu nowej technologii to zadanie niezwykle kłopotliwe i problematyczne. Nie wiadomo jeszcze, czy Samsung sobie z nim poradzi.

Należy jednak być dobrej myśli, ponieważ przedstawiciele firmy twierdzą, że proces technologiczny 8 nm będzie pełnymi garściami korzystał ze sprawdzonych rozwiązań używanych podczas produkcji układów poprzedniej generacji. Co więcej, są oni na tyle pewni siebie, że zapowiadają wcześniejsze pojawienie się nowych smartfonów, w porównaniu z rokiem 2017. Możliwość taką potwierdza Qualcomm, jeden z najważniejszych partnerów Samsunga.

Samsung niestety nie zdradził szczegółów technicznych nowej litografii. Wiemy jedynie, że jest ona podobna do dotychczas używanego procesu 10 nm. Oznacza to, że będzie prawdopodobnie wykorzystywać udoskonaloną technologię 3D. Pozwala ona na zastosowanie dużej powierzchni bramki, a co za tym idzie, zapewnienie większego przepływu elektronów. To z kolei przekłada się na uzyskanie większej wydajności i mniejszych strat energii.

Samo zmniejszenie litografii z 10- na 8-nanometrową przełoży się na 10 proc. zmniejszenie powierzchni układu oraz ograniczenie poboru energii o 10 proc. Samsung nie mówi nic o wzroście wydajności, dlatego należy podejrzewać, że ten będzie minimalny, jeżeli w ogóle nastąpi. Będzie to dotyczyć zdecydowanej większości modeli dostępnych na rynku, ponieważ w fabrykach Samsunga są produkowane nie tylko procesory Exynos, ale też Qualcomm Snapdragon.

Z informacji tych można wywnioskować, że przyszłoroczne urządzenia będą górować nad obecnie sprzedawanymi smartfonami nieco smuklejszą obudową oraz energooszczędnością, która powinna przełożyć się na dłuższy czas pracy bez ładowania. Oczywiście jeżeli producenci nie ograniczą pojemności akumulatorów w sprzętach mobilnych. Nie są to przesadnie duże zmiany, dlatego oszczędni i świadomi użytkownicy zapewne będą częściej wybierać modele z 2016 i 2017 roku, które do momentu premiery nowych smartfonów zdążą znacznie potanieć.

Koreańczycy zapowiedzieli, że już pracują nad procesem technologicznym 7 nm FinFET LP. Jako pierwszy będzie wykorzystywał on światło EUV (Extreme Ultra Violet), czyli długości fali w zakresie dalekiego ultrafioletu. Jest to bardzo, ale to bardzo istotna informacja.

Wraz z tym, jak układ robi się mniejszy i bardziej zaawansowany, konieczne jest stosowanie węższych wiązek światła do wyrycia odpowiedniej struktury półprzewodnikowej.  Do tworzenia obecnie dostępnych układów używa się głównie lasera ArF (fluorek argonu) o długości fali równej 193 nm. W przypadku użycia litografii EUV korzysta się ze światła o długości fali wynoszącej zaledwie 13,5 nm, zatem postęp jest kolosalny.

Rozwiązanie to nie było do tej pory wykorzystywane na szeroką skalę, ponieważ było drogie i niedopracowane. Jednak już niebawem sytuacja ta ulegnie zmianie i zaczną korzystać z niej wszyscy najwięksi gracze na rynku układów scalonych. Wszystko jednak wskazuje na to, że pierwszą firmą w tym wyścigu będzie właśnie Samsung, który z roku na rok coraz mocniej podkreśla swoją supremację na rynku produkcji mobilnych układów.