Wygląda na to, że iPhone 7 będzie mieć 256 GB pamięci. Jest to zasługa... Samsunga

Pamięci te mają być nie tylko niezwykle pojemne, ale też szybkie. Wszystko dlatego, że wykorzystują standard UFS 2.0, a nie o wiele wolniejszy eMMC. Stosowany on był już w Samsungu Galaxy S6, ale dopiero nowa pamięć ma w pełni go wykorzystać. Inne, wykorzystywane przez nie rozwiązanie to 3D V-NAND, czyli pionowa struktura pamięci pozwalająca na gęstsze upakowanie komórek na nośniku. Przekłada się ona na wysoką pojemność, wydajność i energooszczędność dysku.

Samsung zarzeka się, że nowe chipy będą wydajniejsze od dysków SSD wykorzystujących interfejs SATA. Przykładowe parametry takiego nośnika to zapis sekwencyjny sięgający 850 MB/s i odczyt sekwencyjny wynoszący 260 MB/s. Oprócz tego pamięci zapewniają maksymalnie 45000 i 40000 operacji wejścia/wyjścia na sekundę dla losowego odczytu i zapisu.

Koreańczycy chwalą się też, że nowy chip jest mniejszy niż karta microSD, co może skłonić wielu producentów sprzętu do korzystania z niego. W końcu smartfony muszą być cieńsze i cieńsze. Możliwe jest, że nowe pamięci trafią do iPhone’a 7. Samsung zapowiedział bowiem, że pierwsze urządzenia wyposażone w te chipy zobaczymy jeszcze w tym roku.

Pozostaje mieć nadzieję, iż szybki rozwój pamięci będzie miał wpływ też na tańsze wersje urządzeń, które może w końcu będą mieć więcej niż 16 lub 32 GB pamięci. Bardzo irytujące są bowiem ruchy firm takich jak Apple, które pozostawiają w ofercie urządzenia mające zaledwie 16 GB pamięci tylko po to, by więcej osób skusiło się na kupno droższej wersji iPhone’a.

Jestem przekonany, że nawet najtańsza wersja flagowego smartfonu powinna mieć przynajmniej 64 GB pamięci. Może wtedy nikt nie narzekałby na brak obecności slotu na kartę microSD. Zwłaszcza, że wbudowana pamięć jest zazwyczaj szybsza od jej odpowiednika w formie karty.